Перечень вопросов к экзамену по курсу “Элементы и узлы приборов ИИТ”

Перечень вопросов к экзамену по курсу "Элементы и узлы приборов ИИТ"

2003/2004 уч. год часть 2

  1. Выпрямительные диоды, столбы и блоки.
  2. Универсальные и импульсные диоды.
  3. Стабилитроны и стабисторы.
  4. СВЧ диоды.
  5. Варикапы и варакторы.
  6. Беспереходные диоды Ганна.
  7. Туннельные и обращенные диоды.
  8. Биполярные транзисторы Структура, схемы включения, режимы работы.
  9. Принцип действия биполярного транзистора.
  10. Токи в биполярном транзисторе. Коэффициент передачи тока
  11. Физические параметры и эквивалентная схема биполярного транзистора.
  12. Статические характеристики биполярного транзистора
  13. Классификация, условные обозначения и особенности использования биполярных транзисторов.
  14. Основные показатели биполярных транзисторов для различных схем включения.
  15. Температурная зависимость статических характеристик биполярных транзисторов.
  16. Классификация биполярных транзисторов
  17. Условные обозначения и типы биполярных транзисторов.
  18. Методы изготовления биполярных транзисторов.
  19. Параметры биполярных транзисторов.
  20. Предельные режимы работы биполярных транзисторов. Виды пробоев. Лавинный, тепловой, токовый.
  21. Вторичный пробой биполярных транзисторов.
  22. Область безопасной работы транзистора,
  23. Защита транзистора от пробоя.
  24. Однопереходной транзистор.
  25. Динисторы Структура, принцип действия, основные параметры.
  26. Тиристоры. Структура, принцип действия, основные параметры.
  27. Симметричные тиристоры. Тиристорные оптроны.
  28. Основные параметры тиристоров Особенности применения тиристоров
  29. Классификация и условные обозначения тиристоров.
  30. Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом Принцип действия, характеристики
  31. Конструкция полевые транзисторы с управляющим переходом
  32. Полевые транзисторы с изолированным затвором. Принцип действия, характеристики.
  33. Двухзатворные полевые транзисторы.
  34. Параметры и свойства полевых транзисторов. Параметры номинального и предельного значения.
  35. Влияние температуры на параметры полевых транзисторов
  36. Эквивалентная схема полевого транзистора. Преимущества и недостатки полевых транзисторов.
  37. Классификация и система условных обозначений полевых транзисторов.
  38. Усилительный каскад на полевом транзисторе с управляющим p-n переходом.
  39. Усилительный каскад на МДП полевом транзисторе с индуцированным и встроенным каналом.
  40. Источник тока на полевом транзисторе.
  41. Параметры динамического режима работы полевых транзисторов,
  42. Мощные полевые транзисторы. Особенности, конструкции, характеристики мощных полевых транзисторов с управляющим переходом.
  43. Особенности, конструкции, характеристики мощных МДП-транзисторов. Пробой в МДП-транзисторах
  44. Общие сведения об интегральных микросхемах Термины и определения
  45. Классификация интегральных микросхем
  46. Система условных обозначений интегральных микросхем.
  47. Операционные усилители (ОУ) Параметры и характеристики ОУ.
  48. Классификация ОУ, условные обозначения и маркировка.
  49. Линейный стабилизатор Интегральный линейный стабилизатор.
  50. Схема включения интегрального линейного стабилизатора