Вопросы к зачёту по курсу:
ФИЗИКА И ТЕХНОЛОГИЯ ЭЛЕМЕНТОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ.
- Полупроводники, диэлектрики, металлы.
- Зонная модель твёрдых тел.
- Модель электронных связей.
- Доноры и акцепторы.
- Статистика теплового равновесия.
- Свободные носители заряда в полупроводнике. Основные и неосновные носители заряда. Закон действующих масс.
- Дрейфовая скорость.
- Подвижность и рассеяние.
- Диффузионный ток.
- Уравнение непрерывности.
- Выращивание кристаллов. Гетерирование пластин.
- Выращивание окисла.
- Эпитаксиальные пленки. Автолегирование.
- Фотолитография и перенос рисунков. Проблемы и ограничения
- Металлизация. Особенности и сложности.
- Введение примесей и диффузия. Ионное легирование.
- Пример прибора: интегральный резистор.
- Равновесие в электронных системах. Система металл — полупроводник.
- Идеальные переходы металл – полупроводник. Зонная диаграмма.
- Заряд, обедненная область и емкость.
- Вольтамперные характеристики.
- Омические и неомические контакты.
- Поверхностные эффекты. Поверхностные состояния. Поверхностные явлении на контактах металл – полупроводник.
- Приборы со структурой металл-полупроводник: диоды Шотки.
- Резкий переход p-n переход.
- Плавный переход с линейным распределением примеси.
- Реальный и идеальный р-n переход.
- Пробой p-n переходов: лавинный пробой, туннельный пробой.
- Пример прибора: полевой транзистор с управляющим p-n переходом.
- Интегральные диоды.
- Пленарные биполярные усилительные транзисторы n-p-n.
- Планарные биполярные переключающие транзисторы n-p-n.
- Вертикальные р-n-р транзисторы.
- Горизонтальные n-p-n транзисторы.
- Элементы инжекционной логики.
- МОП-структуры в равновесии при различном напряжении смешения.
- Идеальная и реальная С-V кривая НЧ и ВЧ.
- Принцип работы перепрограммируемых запоминающих устройств.