Задача 5
Определить при какой концентрации примеси удельная проводимость Ge при 300 К имеет наименьшее значение н – ти отношение собственной удельной проводимости к min – ой при той же температуре.
Для решения использовать данные предыдущей задачи.
= 
; 
;
n = 
; 
Задача 6
Вычислить отношение полного тока через полупроводник к току, обусловленному дырочной составляющей: 1) в собственном Ge; 2) В Ge р– типа с удельным сопротивлением 
Ом м. Численные значения как и в предыдущих задачах.
1) n = p = 
; 
= 
= 3,01
2) 
=1+
=
=1,02
Задача 7
Определить вероятность заполнения электронами энергетического уровня, расположенного на 10 кТ выше, чем уровень Ферми. Как изменится вероятность заполнения уровня электронами, если температуру увеличить в два раза?
f(Е,Т) = 
; 
= 10 kТ
f(Е,Т) = 
после увеличения Т f(Е,Т) = 
Задача 8
Н-ти положение уровня Ферми в собственном Ge при 300 К, если известно, что ширина запрещающей зоны Ge ΔЕ = 0,665 эВ, а эффективная масса для дырок 
; 
Задача 9
В каких случаях удельная проводимость полупроводника уменьшится при увеличении суммарного содержания электрически активных примесей.
Если есть и электроны и дырки, но при комп – ии электроны и дырки взаимодействуют, связываются. Число свободных носителей становится малым. При 
одинаковом числе электронов и дырок число свободных → 0
Задача 10
В момент времени 
с после выключения равномерной генерации электронно – дырочных пар ННЗ оказалось в 10 раз больше, чем в 
с. Определить время жизни ННЗ τ, если уровень возбуждения невелик и рекомбинация идёт через простые деффекты
Δn = τ·α·β·(1-
) = τ·α·β·I·
Δn(
) = τ·α·β·(1-
) = τ·α·β·I·
Δn(
) = τ·α·β·I·
; 
с