Задача 11

Вычислить относительное изменение проводимости , где темновая проводимость при стационарном освещении с интенсивностью I = кв/, 0 = 100 . Толщина образца d<< 1/α. Реком – ия проходит на простых дефектах. Полупроводник n – типа проводимости с концентрацией , время жизни τ с.

 

– Бугера – Ламберта.

                       

  • объёмная концентрация (свет проникает глубоко).

 

 

d =10 мк м =  м.                                d =1 см =  м.

I

I

 

Задача 12

При использовании t-ой зависимости концентрации НЗ для чистого кремния в области электропроводности получены следующие результаты: при температуре T=460 К, собственная концентрация носителей , при температуре T=781 К, На основании данных рассчитать ширину запр. зоны при T=300 К, если b = -2,84 эВ/К;

 

 

               

                               

                               

                               

 

Задача 13

Есть распределенный п/п                (есть распределяющая легирующая примесь)

 

Задача 14

Пластина Ge n-типа длиной l = 10 мм, шириной а = 2 мм и толщиной b = 0,5 имеет продол. сопротивление R=2 кОм. На образец нормально поверхности падает монохромное излучение, с длиной волны λ = 0,546 мкм. На этой длине волны световой эквивалент потока излучения = 625 Лм/Вт. Считая, что весь световой поток, падающий на образец полностью расходуется на генерацию электронно-дырочных пар. Какова освещенность образца, при которой его сопротивление уменьшится в 2 раза. Квантовый выход фотоэффектаβ = 1.

 

l = 10 мм

b = 0,5 мм

R = 2 кОм

λ = 0,546 мкм

= 625 Лм/Вт

а = 2 мм

β = 1

 

τ = 10 мкс

 

Е – ?

  1. Нужно определить число электронов и дырок в темноте, если известно сопротивление

R =        (*)

;

Подставим в (*), получим:

Д>0

 

  1. На свету:

Δn = Δp        = 5 кОм

число неравновесных электронов в единице объема.