Задача 11
Вычислить относительное изменение проводимости , где
темновая проводимость при стационарном освещении с интенсивностью I =
кв/
, 0 = 100
. Толщина образца d<< 1/α. Реком – ия проходит на простых дефектах. Полупроводник n – типа проводимости с концентрацией
, время жизни
τ с.
– Бугера – Ламберта.
- объёмная концентрация (свет проникает глубоко).
d =10 мк м = м. d =1 см =
м.
I
I
Задача 12
При использовании t-ой зависимости концентрации НЗ для чистого кремния в области электропроводности получены следующие результаты: при температуре T=460 К, собственная концентрация носителей
, при температуре T
=781 К,
На основании данных рассчитать ширину запр. зоны при T=300 К, если b = -2,84
эВ/К;
Задача 13
Есть распределенный п/п (есть распределяющая легирующая примесь)
Задача 14
Пластина Ge n-типа длиной l = 10 мм, шириной а = 2 мм и толщиной b = 0,5 имеет продол. сопротивление R=2 кОм. На образец нормально поверхности падает монохромное излучение, с длиной волны λ = 0,546 мкм. На этой длине волны световой эквивалент потока излучения = 625 Лм/Вт. Считая, что весь световой поток, падающий на образец полностью расходуется на генерацию электронно-дырочных пар. Какова освещенность образца, при которой его сопротивление уменьшится в 2 раза. Квантовый выход фотоэффектаβ = 1.
l = 10 мм
b = 0,5 мм
R = 2 кОм
λ = 0,546 мкм
= 625 Лм/Вт
а = 2 мм
β = 1
τ = 10 мкс
Е – ?
- Нужно определить число электронов и дырок в темноте, если известно сопротивление
R = (*)
;
Подставим в (*), получим:
Д>0
- На свету:
Δn = Δp = 5 кОм
число неравновесных электронов в единице объема.