Задача 15
В образе кремния n-типа при 300 К время жизни не основных носителей заряда 
мкс, их подвижность 
. В одну из плоскостей образца вводится и поддерживается постоянная во времени избыточная концентрация дырок 
.
Определить плотность диффузионного тока в непосредственной близости от этой плоскости. На какой глубине концентрация дырок составит 
, толщина образца значительно больше диффузионной длины носителей заряда. x-?
– отношение Эйнштейна
при x=0
x=166 кмм
Задача 16
На пластину п/п с размерами l*b*d перпендикулярно поверхности падает поток монохроматического излучения с интенсивностью 
. Показатель преломления п/п 
. Коэффициент оптического поглощения 
.Полагается, что при создании фототока 
принимают участие только электроны и пренебрегая темновым током. Доказать, что фототок 
=
, β-квантовый выход, U-напряжение.
Коэффициент отражения 
Закон Бугера – Ламберта:
1) 
2) 
3) 
4) 
5) 
Задача 17
Слои диоксида Si, полученные на поверхности Si, всегда содержат донор примеси сосредоточенные вблизи с границей Si. Какое влияние оказывают эти слои на поверхностную структуру Si 1) n-типа, 2) p-типа.
Задача 18
Под каким углом должны пересекаться печатные проводники, располагаемые на различных сторонах печатной платы, чтобы между ними была минимальная емкостная связь.
Оценить минимальную емкость и полное сопротивление между двумя проводниками шириной a=1 мм, ширина h=0,5 мм. Плата из стеклотекстолита, у которого удельное сопротивление 
Ом*м, 
Расчет для f=1 мм, краевыми эффектами пренебречь.
Задача 19
При температуре 700 м/span>С намагн-ть насыщения чистого Fe
, намагниченность 
(при температуре t=0K) 
при температуре 
м/span>C. Путем экстраполяции экспериментальных данных найти температуру Кюри Fe
При этом 
, α-постоянная
; 
К
Задача 20
Вывести формулу для расчета температурного коэффициента емкости 
плоского конденсатора с учетом влияния температуры на геометрические размеры рабочего диэлектрика и обкладок. Как изменится эта формула, если в конденсаторе в качестве обкладок использовать металлическую пленку, нанесенную непосредственно на диэлектрик.
Задача 21
На поверхности п/п, в котором создан несимметричный n-p переход, у которого 
, находится отр. заряд, граница p-nперехода и поверхность п/п перпендикулярны. Приводит ли наличие поверхностного заряда к изменению площади перехода? Какие параметры перехода при этом меняются?
Задача 22
Изобразить энергетические диаграммы контактов металл-полупроводника при различных отношениях работы выхода из металла и из полупроводника.
1) 
2) 
3) 
4) 