1.Введение
Данная курсовая работа посвящена рассмотрению статических параметров одного из самых распространенных и самых универсальных усилительных приборов – полевого транзистора (ПТ).
Полевой транзистор в качестве элемента схемы представляет собой активный трехполюсник, поэтому включение его в схему можно осуществить шестью различными способами. Однако практический интерес представляют лишь те способы включения, которые позволяют получить усиление по мощности. Таких схем три:
1) схема с общим истоком и входом па затвор;
2) схема с общим стоком и входом на затвор;
3) схема с общим затвором и входом на исток.
Входное и выходное сопротивления, а также функции прямой и обратной передач усилительного каскада на полевом транзисторе будут, зависеть от выбранной схемы включения. Поэтому одна из схем должна быть принята за типовую, тогда параметры двух остальных схем могут быть, рассчитаны из параметров типовой схемы с помощью соответствующих преобразований.
Основными преимуществами полевого транзистора являются его большое входное сопротивление по постоянному току и высокая технологичность. Последнее обусловливает широкое применение полевых транзисторов при разработке цифровых интегральных схем.
2.ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОАХ.
Полевыми транзисторами называют такие транзисторы, в которых ток создается носителями заряда одной полярности и ток в канале управляется электрическим полем. В транзисторе с p-каналом ток проводят дырки, а в транзисторе с n-каналом – электроны.
Полевой транзистор – полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей протекающим через проводящий канал, и управляемым электрическим полем.
Полевой транзистор в отличие от биполярного иногда, называют униполярным, так как его работа основана на использовании только основных носителей заряда – либо электронов, либо дырок. Поэтому в полевых транзисторах, отсутствуют процессы, изменения (накопления и рассасывания) объемного заряда неосновных носителей, оказывающие заметное влияние на быстродействие биполярных транзисторов. Основным способом движения носителей заряда, образующих ток полевого транзистора, является их дрейф в электрическом поле. Проводящий слой, в котором создается рабочий ток полевого транзистора, называют каналом.
Полевой транзистор – полупроводниковый усилительный прибор, которым управляет не ток (как биполярным транзистором), а напряжение (электрическое поле, отсюда и название – полевой), осуществляющее изменение площади поперечного сечения проводящего канала, в результате изменяется выходной ток транзистора. Управление же электрическим полем предполагает отсутствие статического входного тока, что позволяет уменьшить мощность, требуемую для управления транзистором.
Токопроводящие каналы могут быть приповерхностными (транзисторы с изолированным затвором) и объемными (транзисторы с управляющим р-п-переходом). Приповерхностный канал представляет собой либо обогащенный слой, образующийся за счет донорных примесей в полупроводнике, либо инверсный слой, возникающий под действием внешнего поля. Такой полевой транзистор имеет классическую структуру металл-диэлектрик-полупроводник (МДП-структуру), в которой роль диэлектрика, как правило, играет оксид (например, двуокись кремния SiO2). Поэтому полевой транзистор с такой структурой часто называют МДП- или МОП-транзистором (металл-оксид-полупроводник).
Металлический электрод, создающий эффект поля, называют затвором (З), два других электрода – истоком (И) и стоком (С). Исток и сток в принципе обратимы. Истоком служит тот из них, из которого при соответствующей полярности напряжения между истоком и стоком в канал поступают основные носители заряда, а стоком – тот, через который эти носители уходят из канала. В зависимости от того, какой из выводов является общим для входа и выхода, различают три схемы включения полевого транзистора:
– с общим истоком (ОИ),
– с общим затвором (ОЗ),
– с общим стоком (ОС).
Наибольшее распространение на практике нашла схема с ОИ.
3.Принцип работы полевого транзистора с p-n-переходом.
В полевом транзисторе с объемным каналом площадь поперечного сечения канала меняется за счет изменения площади обедненного слоя обратно включенного р-n-перехода. На (рис. 1) показан полевой транзистор с управляющим р-п-переходом, включенный по схеме с ОИ. При ее анализе все напряжения будем рассматривать с учетом их знаков.
На p-n-переход (затвор – исток) подается обратное напряжение Uзи. При его уменьшении глубина d обедненного слоя (заштрихованная область на рис.1 – область объемного заряда) возрастает, а токопроводящее сечение b канала сужается. При этом увеличивается сопротивление канала, а следовательно, снижается выходной ток Iс транзистора. Поскольку напряжение Uзи прикладывается к p-n-переходу в обратном направлении, ток Iз ничтожно мал и практически не зависит от управляющего напряжения.
Рис.1 Полевой транзистор с управляющим р-n-псреходом.
Для полевых транзисторов входная характеристика (зависимость Iз от Uзи при фиксированном значении Uси) не имеет практического применения и при расчетах используют только передаточные и выходные ВАХ. На (рис.2) приведены выходные и передаточные характеристики полевого транзистора с управляющим p-n-переходом для схемы включения с ОИ. Эти характеристики, подобно характеристикам биполярного транзистора, имеют нелинейный характер, а, следовательно, полевой транзиcтoр, как и биполярный, является управляемым нелинейным элементом цепи. Однако при сравнении их выходных характеристик очевидны существенные различия.
а) б)
Рис.2 Статические вольт-амперные характеристики полевых транзисторов с управляющим р-п-переходом (схема ОИ):
а – выходные,
б – передаточные.:
На начальном участке изменения выходного напряжения полевого транзистора крутизна его ВАХ с изменением входного сигнала не остается постоянной. Как видно из рис.2 а) с уменьшением Uзи крутизна ВАХ уменьшается, а следовательно, возрастает выходное сопротивление транзистора. Это указывает на зависимость выходного сопротивления полевого транзистора от управляющего напряжения на этом участке ВАХ.
Изменение выходного тока Iс полевого транзистора при изменении Uси происходит до определенного значения выходного напряжения, равного напряжению насыщения Uси нас. (проекция на ось абсцисс точки пересечения штриховой кривой ОА с соответствующей ВАХ транзистора). Это напряжение равно
( 1 )
где Uзи отс.- управляющее напряжение, при котором Ic = 0 (режим отсечки), а Uзи – управляющее напряжение, соответствующее рассматриваемой ВАХ транзистора.
При дальнейшем возрастании выходного напряжения ток Iс остается неизменным вплоть до пробивного напряжения Uси проб.
Физику происходящих при этом процессов в полевом транзисторе можно объяснить следующим образом.
Как уже отмечалось, при входном напряжении Uзи = Uзи отс., соответствующем обратному напряжению на р-п-переходе (затвор – исток), при котором токопроводящий канал транзистора будет полностью перекрыт, выходной ток Iс транзистора будет равен нулю (см. рис. 2б). При Uзи > Uзи отс. в токопроводящем канале появляется проток шириной b и по нему от стока к истоку начинает протекать ток Iс, создающий на сопротивлении канала падение напряжения. Это напряжение, складываясь с напряжением Uзи, по мере приближения к стоку, приводит к увеличению напряжения на обратно смещенном р-n-переходе, т.е. к сужению канала при приближении к истоку, как это показано на (рис.1). Рост тока Ic приводит к увеличению падения напряжения на канале и к уменьшению его ширины, в результате уменьшается ток Iс, протекающий между стоком и истоком.
Однако уменьшение тока стока приводит к уменьшению падения напряжения на канале и к уменьшению фактического (суммарного) напряжения на обратно смещенном p-n-переходе, что увеличивает ширину b канала, а следовательно, и ток Iс. В результате, в структуре полевого транзистора, приведенного на (рис.1), устанавливается динамическое равновесие и при Uси > Uси нас. ток стока поддерживается на уровне насыщения Iс нас.
Как видно из рис. 2 а с уменьшением напряжения Uзи пробивное напряжение транзистора Uси проб. уменьшается. При этом всегда выполняется равенство
Uси. проб = Uси проб (при Uзи = 0) + Uзи ( 2 )
Если Uзи = Uзи отс., транзистор заперт (режим отсечки) и Iс = 0. В случае открытого транзистора для любого значения выходного тока Iс будет соблюдаться равенство
Uзи – Uси нас. = Uзи отс. = -Uзс нас., ( 3 )
где Uзи нас. – напряжение между стоком и затвором в режиме насыщения транзистора.
Из сравнения приведенных на рис.2 ВАХ видно, что полярности управляющего и выходного напряжений полевого транзистора с управляющим р-n-переходом не совпадают.
4.Основные параметры ПТ.
Основными параметрами, характеризующими полевой транзистор как нелинейный элемент, являются:
-коэффициент усиления по напряжению
при Ic=const ( 4 )
-крутизна (определяется по передаточной характеристике)
при Uси=const; ( 5 )
-дифференциальное выходное (внутреннее Ri) сопротивление
при Uзи=const; ( 6 )
-дифференциальное сопротивление участка затвор – сток
( 7 )
Это сопротивление учитывает обратную связь между выходом и входом полевого транзистора.
Входное сопротивление r вх полевого транзистора очень велико (несколько мегаом), поскольку значение тока затвора Iз очень мало.
Значение параметра Ri определяют при работе транзистора в режиме насыщения как котангенс угла наклона выходной характеристики. Так как для полевых транзисторов режиму насыщения соответствует пологая часть выходной характеристики, то в рабочей области этот угол мал и, следовательно, внутреннее сопротивление оказывается достаточно большим (сотни килоом).
Крутизна S передаточной характеристики отражает степень влияния входного напряжения на выходной ток, т. е. эффективность управляющего действия затвора, и составляет 1 … 5 мА/В. Первые три параметра связаны соотношением
( 8 )
5.Эквивалентные схемы полевых транзисторов.
Рассмотрим наиболее распространенные схемы замещения полевых транзисторов. На (рис.3 а) приведена схема замещения ПТ с управляющим p-n-переходом, а, на (рис.3б) – с изолированным затвором. В этих схемах принято, что вывод подложки электрически соединен с истоком. Такое включение наиболее часто используется при разработке схем на ПТ.
Следует отметить, что входное и выходное сопротивления ПТ носят явно выраженный емкостный характер. Активная составляющая входного тока для ПТ управляющим р-n-переходом обусловлена током обратно смещенного p-n-перехода и весьма мала.
а)
б)
Рис.3 Эквивалентные схемы полевого транзистора с управляющим р-п-переходом (а) и изолированным затвором (б)
6.Отличительные особенности полевого транзистора.
Из принципа действия полевого транзистора вытекают две основные его особенности:
-в установившемся режиме работы входной ток полевого транзистора стремится к пулю (т. е. rвх стремится к бесконечности),
-инерционность полевого транзистора в отличие от биполярного обусловлена только процессами перезаряда его входной и выходной емкостей.
Казалось бы, что отсутствие процессов изменения объемного заряда неосновных носителей дает преимущество полевому транзистору в быстродействии перед биполярным транзистором. Однако, следует отметить, что конструкция полевого транзистора предполагает получение больших значений его входных и выходных емкостей. Последнее с увеличением частоты входного сигнала приводит к фактическому падению коэффициента усиления каскада на полевом транзисторе. Действительно, по постоянному току коэффициент усиления полевых транзисторов стремится к бесконечности (входной ток стремится к нулю). При увеличении частоты входного сигнала входной ток полевого транзистора, определяемый его входной емкостью, растет, что эквивалентно снижению значения коэффициента усиления. Поэтому принято считать, что в общем случае по быстродействию, усилению и частотным свойствам полевой транзистор, как правило, не имеет преимуществ перед биполярным транзистором.
Полевые транзисторы имеют преимущество перед биполярными транзисторами в большей температурной стабильности их характеристик. Это объясняется тем, что основная температурная нестабильность характеристик биполярного транзистора обусловлена сильной зависимостью количества неосновных носителей заряда в полупроводнике. Учитывая, что полевой транзистор работает с использованием только основных носителей зарядов, которые в меньшей степени подвержены температурному влиянию, в нем отсутствует положительная обратная связь по температуре, присущая биполярным транзисторам.